หัวข้อ: เพาเวอร์แอมป์ ไฮบริจด์

[PINIJ]

ผมถือคติ "สิบปากว่า ไม่เท่าตาเห็น สิบตาเห็น ก็ยังไม่เท่ามือคลำ" ครับ ผมอยากหาคนหูดีๆ มาทดลองฟังกันแบบปิดตาทดสอบสักครั้งน่ะครับ ไม่ทราบว่ามีใครเคยรับรู้มาบ้างไหมว่า เคยมีการปิดตานักฟังหูมีระดับกับชุดที่แตกต่างกันหลายสิบเท่า (เครื่องคอมเมอร์เซี่ยน) ผลปรากฏว่าเครื่องถูกมีคนชอบมากกว่าน่ะครับ 

[มุมคนรักหลอด]

   ฝากนิดหนึ่งครับ SS + Tube ความเร็ว และ การทำงานต่างกัน จะเอามาใช้งานร่วมกัน ต้องมีการรอกันนะครับ ไม่อย่างนั้น จะทะเรอะกัน 

[ohm]

1N5264B   ZENER DIODE 1/2W 60V

1N5371B   ZENER DIODE  5W 60V

1 วัตต์ไม่มีครับ ต้องเอา 30V  1W มาอนุกรมกัน

1N4751A  ZENER DIODE  1W 30V

[PINIJ]

ต้องขอขอบคุณ คุณโอมหืมากๆ ครับ ที่ตั้งใจจัดข้อมูลมาให้ ผมคิดว่าก็ดีที่ใช้ไฟร่วมกันกับหลอดได้เลย จะได้ใช้ไฟชุดเดียวกันเพราะกระแสก็คงกินพอๆ กัน (อันนี้ผมเดาเอาน่ะครับ) เสียบแทนกันได้เลย เพราะหลอดผมก้จะใส่ Grid Stopper อยู่แล้ว เราเพียงถอดซีเนอร์ไดโอดออกเมื่อใช้หลอดหรือเปลี่ยนตัวใหม่เป็นคุมไฟที่ 60v ใส่แทน (รบกวนขอคำแนะนำเบอร์ซีเนอร์เบอร์ที่คุม 60v ให้ด้วยครับ) เราคงจะทราบกันต่อไปว่าเสียง FET จะเหมือนหลอดไตรโอดตามที่ฝรั่งเขียนไว้หรือไม่? กันครั้งนี้ละครับ ถ้าเหมือนกัน ใช้ FET น่าจะหาได้ง่ายกว่าหลอด 6528 และราคาถูกกว่าหลายเท่า และทำง่ายกว่าอีกด้วย (อย่างน้อยก็ไม่ต้องเจาะรูที่แท่นใส่ขาหลอด และไม่ต้องมีไฟจุดไส้หลอดอีกด้วย)  ต้องขอขอบคุณคุณโอมห์มากๆ อีกครั้งละครับ

[ohm]

วงจรครับ

[ohm]

มาแล้วครับ 

1. R100 ohm ให้อยู่ชิดขาเกตที่สุดนะครับ อันนี้เป็นตัวป้องกันออซซิเลต

2.ถึงวงจรจะ sim มาแล้วแต่ยังไงๆเวลาทำจริงอาจต้องปรับแก้อะไรบ้าง โดยเฉพาะ Vgs ของมอสเฟ็ตที่มีช่วงค่อนข้างกว้าง ถึงจะเผื่อเอาไว้ให้ปรับได้แล้วก็เหอะ

ถ้าทำแล้วไม่ต้องเปลี่ยน/แก้อะไรเลย แสดงว่าผมฟลุ๊คครับ 

3.มอสเฟ็ตซื้อเผื่อไว้เลยทีเดียวอย่างน้อยๆ 6 ตัวครับ(ใช้ 4 สำรอง 2 )  มันอาจจะเสียมาจากร้านได้เลย (เรื่องปกติ)  หรือแม้แต่ทำพลาดเองจนมันเสีย

 

 

[ohm]

รอหน่อยนะครับ เดี๋ยวจะทำวงจรไบแอสให้ 

[PINIJ]

การป้องกันความเสียหายของ MOSFET IGBT จะ้ป้องกันไว้ทางขา gate ครับ ลองดูในรูปนะครับ ซีเนอร์ใช้ 18 โวลต์ 1 วัตต์ ต่อป้องกันแรงดันทางขา gate  เอาไว้

 MOSFET IGBT เทียบขากับทรานซิสเตอร์คือ  gate = base ,  drain = collector , source = emitter

ส่วนเรื่องวงจร ผมว่ายึดค่าแรงดัน , กระแส ตามของเดิมไว้ดีกว่าครับ จะได้ได้สเป็คตามวงจรเดิมด้วย  เพราะยังไงก็ต้องแก้ตรงส่วนไบแอสอยู่แล้ว  ซึ่งเอาไว้ทีหลังนะครับ 

ทีนี้ถ้าไม่สนเรื่อง input capacitance   ก็หามอสเฟตกระแสสูงๆได้ แต่ยังไงก็ต้องให้ทนโวลต์ได้มากกว่า 800 โวลต์ครับ 

เพราะ 510+280 = 790 โวลต์เข้าไปแล้ว ถ้าใช้มอสเฟ็ต 800 โวลต์ มันปริ่มๆไปครับ   มอสเฟ็ต 800 โวลต์นี่คือ เกิน 800 โวลต์เมื่อใหร่ มันพังทันที (สัญญาณสวิงสูงๆ+ไฟบ้านเกินก็เรียบร้อยแล้วครับ)

เท่าที่เช็คได้ในเว็บ  ที่สหรุ่งโรจน์มีเบอร์นี้ครับ  IRFPG50       ทนได้ 1000 โวลต์  http://www.srt.co.th/electronic_parts.html  แต่ที่หน้าเว็บเช็คไม่ได้นะครับว่ายังมีสต๊อครึเปล่า

 input capacitance  จะขึ้นกับกระแสที่มอสเฟตทนได้ครับ ทนกระแสได้มาก  input capacitance ยิ่งสูง  เพราะงั้นเลือกมอสเฟ็ตแรงดันสูงๆไปเลยครับ 

ลุยวงจรของผมต่อให้สมบูณแบบใช้งานได้ทีครับ ที่ผมไม่สนใจค่าคาปาซิแตนทืของมันเพราะผมอ่านข้อความที่คุณวิทยาเอามาให้ดูน่ะครับ คุณโอมห์ลองเข้าไปอ่านรายละเอียดดูนะครับ ผมยกมาให้ดูเพียงบางส่วน ตามนี้ครับ


No, it won't. The big gate-source capacitor is there, OK, but when the device is hooked up as a follower, the apparent capacitance seen by a circuit driving the MOSFET gate is reduced to a very small level by the fact that the source is following the gate almost perfectly, so the apparent capacitance is reduced by the local feedback to an inconsequential level. Even a high impedance 12AX7 plate is not affected in the audio range by this capacitance. Even the big power, big capacitance MOSFETs do this one OK. I have done this, and what's more, done the necessary measurements to find the effect on the response of the composite stage - and there is no detectable change in frequency response below 30kHz. None.

This squares with the empirical evidence of listening to it - it sounds the same as when a triode is used as a cathode follower.

[ohm]

การป้องกันความเสียหายของ MOSFET IGBT จะ้ป้องกันไว้ทางขา gate ครับ ลองดูในรูปนะครับ ซีเนอร์ใช้ 18 โวลต์ 1 วัตต์ ต่อป้องกันแรงดันทางขา gate  เอาไว้

 MOSFET IGBT เทียบขากับทรานซิสเตอร์คือ  gate = base ,  drain = collector , source = emitter

ส่วนเรื่องวงจร ผมว่ายึดค่าแรงดัน , กระแส ตามของเดิมไว้ดีกว่าครับ จะได้ได้สเป็คตามวงจรเดิมด้วย  เพราะยังไงก็ต้องแก้ตรงส่วนไบแอสอยู่แล้ว  ซึ่งเอาไว้ทีหลังนะครับ 

ทีนี้ถ้าไม่สนเรื่อง input capacitance   ก็หามอสเฟตกระแสสูงๆได้ แต่ยังไงก็ต้องให้ทนโวลต์ได้มากกว่า 800 โวลต์ครับ 

เพราะ 510+280 = 790 โวลต์เข้าไปแล้ว ถ้าใช้มอสเฟ็ต 800 โวลต์ มันปริ่มๆไปครับ   มอสเฟ็ต 800 โวลต์นี่คือ เกิน 800 โวลต์เมื่อใหร่ มันพังทันที (สัญญาณสวิงสูงๆ+ไฟบ้านเกินก็เรียบร้อยแล้วครับ)

เท่าที่เช็คได้ในเว็บ  ที่สหรุ่งโรจน์มีเบอร์นี้ครับ  IRFPG50       ทนได้ 1000 โวลต์  http://www.srt.co.th/electronic_parts.html  แต่ที่หน้าเว็บเช็คไม่ได้นะครับว่ายังมีสต๊อครึเปล่า

 input capacitance  จะขึ้นกับกระแสที่มอสเฟตทนได้ครับ ทนกระแสได้มาก  input capacitance ยิ่งสูง  เพราะงั้นเลือกมอสเฟ็ตแรงดันสูงๆไปเลยครับ 

[PINIJ]

คุณวิทยาเอาลิงค์ออกมาให้ดู ทำให้ผมมั่นใจว่าการใช้ Solid State ใช้งานตรงจุดนี้ได้แน่นอน และดีด้วย หมดห่วงเรื่องอินพุทคาปาซิแตนท์ของมันไปได้เลยอีกด้วย แต่ผมก็จนด้วยเกล้าที่ไม่รู้จักเบอร์ MOSFET ดีๆ ที่เหมาะกับงานนี้ซักตัว วานคุณวิทยาหรือผู้รู้ช่วยแนะนำให้ผมด้วยครับ และถ้าเป้นไปได้ ช่วยใส่ค่าตรงจุดเครื่องหมาย ?? ให้ด้วย หรือบอกวิธีคิดให้ก้จะเยี่ยมครับ อ้อ! ลืมบอกไปขอกำลังขับกริด 211 ซัก 8-10W นะครับ

[PINIJ]

คุณ pinit ดูจากเว็บนี้ก็ได้ครับ  ใช้ mosfet ก็เหมือนๆกัน  หาพวกทนไฟสูงง่ายกว่าด้วย
http://www.geofex.com/Article_Folders/mosfet_folly/mosfetfolly.htm

ผมเองก็ใช้อยู่ครับ  mosfet 900V เป็นตัว drive 300B

คุณวิทยานี่ก้าวล้ำนำหน้าผมอยู่เสมอเลยนะครับ ขอบคุณมากๆๆๆๆๆๆๆๆๆๆๆ ครับ

[Withaya]

คุณ pinit ดูจากเว็บนี้ก็ได้ครับ  ใช้ mosfet ก็เหมือนๆกัน  หาพวกทนไฟสูงง่ายกว่าด้วย
http://www.geofex.com/Article_Folders/mosfet_folly/mosfetfolly.htm

ผมเองก็ใช้อยู่ครับ  mosfet 900V เป็นตัว drive 300B

[PINIJ]

มีแววความเป็นไปได้มากขึ้นแล้วครับ   ตามรูปที่ผมลองเขียนมาข้างบนนั้นต้องแก้ไขอะไรเพิ่มอีกครับ ผมกลัวตอนช่วงเปิดเครื่อง คงต้องมีวงจรช่วยควบคุมไฟตรง IGBT ไม่ให้สูงจนมันพังซะก่อน คือผมคิดว่าเราใช้ไฟต่ำสุดเท่าที่จำเป็น เพื่อหลบค่าคาปาซิแทนซ์ขาเข้าของ IGBT ที่ถ้าเลือกตัวที่รับทนไฟสูงๆ ได้น่ะครับ

[ohm]

การทำงาน IGBTเหมือนกับหลอดเลยครับ  ที่ต่างกันจะเป็นการไบแอส คุณสมบัติ  ความเพี้ยนฯลฯ

solid จะจัดวงจรให้ทำงานอย่างหลอดได้สบายครับ คือทำงานได้อย่างเดียวกัน (เท่าที่คุณสมบัติมันรับไหว) แต่เสียงไงๆก็คงไม่เหมือนหลอดแค่นั้น 

ถ้าจัดวงจรให้จุดไบแอสเป็น 1/2 ของไฟเลี้ยง      ป้อนไฟเลี้ยงให้ 1100 โวลต์(ไม่เกินที่ IGBT ทนได้) ก็จะได้ เกือบๆ 550 V peak  , 1100 V peak to peak

หักออกนิดหน่อยตามประสา solid นี่ไม่เยอะหรอกครับ 

ปล. ก่อนหน้านี้ผมมึนเรื่อง V peak , V peak to peak เองล่ะครับ   



   

[PINIJ]

ผมขอแตกกระทู้ตามคำแนะนำของคุณโอมห์ครับ

--transconductance ของ IGBT เบอรนี้คือ  5 siemens  เทียบกับหลอดคือ 5 mhos ครับ  เรื่องอัตราขยาย solid กินหลอดขาดครับ

--ส่งผ่านสัญญาณเสียงที่มีขนาด 800V Peak to Peak นี้ได้หรือไม่

ได้น่ะได้อยู่ครับ ใช้ IGBT เบอร์ที่ทนกระแสเยอะๆกว่านี้มันทำได้แน่    แต่สิ่งที่เป็นข้อจำกัดคือ input capacitance ครับ ยิ่งทนกระแสสูงๆ input capacitance ยิ่งเยอะ

ซึ่งจะเป็นภาระของภาคก่อนหน้า( 6SN7)  การเอา mosfet หรือ igbt มาใช้ ถ้า input capacitance สูงๆ อาจจะต้องทำภาคขับกระแสให้มันด้วย มีผลต่อ distortion โดยตรงครับ

เฉพาะเบอร์นี้ IGW08T120     input capacitance ก็ปาเข้าไป 600 pF แล้วครับ แต่ผมคาดว่า(เดา)กระแสจาก 6SN7 ยังพอจะขับ IGBT เบอร์นี้ได้โดยตรง (distortion ไม่สูงนัก)

ถ้าเป็นเบอร์นี้ผมว่าภาคจ่ายไฟสักราว 1100 โวลต์ ไบอัสไม่เกินกราฟ SOA สัก  60 mA   500V Peak to Peak สบายๆครับ แต่ต้องติด heatsink ให้มันด้วยนะครับ   จาก datasheet เบอร์นี้ทนได้ 70 W ยังพอเอาอยู่   ถ้าจะเอา 1000 V Peak to Peak   ต้องหาตัวที่ทน 2000โวลต์ขึ้น ผมยังไม่เคยพบเลยครับ  

คือผมต้องการใช้โซลิดสะเต็จไดร์วหลอด 211 PP Amp ใน Class A2 ด้วยความต้องการสัญญาณสวิงอย่างมีคุณภาพไม่น้อยกว่า 600 Volts P to P ที่จะต้องผจณกับกระแสของ Grid หลอด 211 ประมาณ 100mA คือเราต้องใช้กำลังขับประมาณ 8W และผมต้องการภาคขยายข้างหน้าเป็นหลอด เพื่อต้องการเสียงจากหลอดอีกด้วย คือใช้หลอดเบอร์ 6SN7 (ซึ่งยังหาหลอดที่สวิงโวล์ทได้มากกว่านี้ ที่เหมาะสมกับตำแหน่งตรงจุดนี้ยังไม่ได้ ถ้าใครทราบโปรดแนะนำผมด้วย)

ผมไม่ทราบว่าการทำงานของ IGBT จะเหมือนกับหลอดหรือไม่นะครับ? คือจริงๆ แล้วสัญญาณแค่ครึ่งซีก (หมายถึงอาจ ซีกบวกหรือซีกลบ) เท่านั้นที่สวิงในหลอด ส่วนอีกครึ่งซีกจะสวิงที่ R ตรง Cathode ของหลอด  ฉะนั้นถ้าเราต้องการแค่ 300 Volts peak (จาก ด้วยความต้องการสัญญาณสวิงอย่างมีคุณภาพไม่น้อยกว่า 600 Volts P to P) ดังนั้นเราอาจหา IGBT แค่ความต้องการก้น่าจะพอ แต่อาจมีเผื่อไว้ซัก 50% (450 Volts peak) ก็น่าจะพอครับ