เรื่อง Thermal Drift เกิดได้กับ transistor ทุกประเภทไม่ว่าจะเป็น BJT หรือ FET ทั้งนี้จะมากหรือน้อยขึ้นอยู่กับหลายปัจจัยเช่น operating point, ambient temp เป็นต้น
การออกแบบต้องพยายามป้องกันปัญหาพวกนี้ ทั้งด้วยวงจรและเลย์เอาท์
กรณีนี้ วงจรเป็นแบบ complementary ที่มีแนวโน้มว่า drift จากขั้ว +/- จะหักล้างกันอยู่แล้วระดับหนึ่ง feedback ก็ช่วยระดับหนึ่ง Thermal coupling จะช่วยให้ดียิ่งขึ้นไปอีก
ต้นแบบตัวนี้ dc ที่ output ต่ำและนิ่งมาก (+/- 0 ถึง 5 mV) ลงกล่องแล้วจะยิ่งดีกว่านี้อีก
งั้นขอจองเลยนะครับอาจารย์ 555
ว่าแต่ JFET ถ้าอุณหภูมิต่างกันเวลาทำงานทำให้เกิด dc-offset drif ง่ายๆเลยเหรอครับ
ถ้าเทียบกับ ทรานซิสเตอร์หรือ IC อะครับ
